Teledyne HiRel Semiconductors Introduces Isolated GaN Gate Driver for High Efficiency Power Conversion Systems

Дата публикации: 30-07-2026 17:49:39

Teledyne HiRel Semiconductors, a business unit of Teledyne Technologies Incorporated and a leading supplier of high-reliability semiconductor solutions, with more than a decade of experience in gallium nitride (GaN) for aerospace, defense, space and industrial applications, announced the release of the TDGD85110EP, an isolated, single-channel gate driver that simplifies the implementation of GaN transistors in high performance power conversion systems.

Схожие новости

#	Наименование новости	Тональность	Информативность	Дата публикации
1	Richardson RFPD Announces UMS GaAs and GaN RF Solutions for SATCOM and High Frequency Applications	0	5.2	29-07-2026
2	Teledyne e2v Strengthens Space-Grade ADC Offering with Radiation Robustness Results	0	20.39	17-07-2026
3	eGaN transistors for power conversion in space-based computing systems	0	11.07	20-08-2026
4	Europe’s only gallium-oxide semiconductor producer raises €2M	7	8	20-07-2026
5	Мощный СВЧ-усилитель в корпусе 3×3 мм: НИИЭТ показал GaN-транзисторы, заменяющие Qorvo и Wolfspeed	0	19.21	24-07-2026
6	Werbel Microwave Introduces Compact 2-Way Power Divider from 500 MHz to 6 GHz	0	12.99	23-07-2026
7	Europas einziger Hersteller von Galliumoxid-Halbleitern sichert sich 2 Millionen Euro	5	7	20-07-2026
8	В "Технополисе Москва" выпустили первую партию энергоэффективных транзисторов	0	0	29-11-2021
9	Hengtong Rockley представляет оптический трансивер на базе технологии кремниевой фотоники	0	0	10-03-2020
10	НИИЭТ выводит на рынок две модели GaN‑транзисторов	0	5	14-07-2026

Классификация: Пресс-релизы. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 10. Тональность: 0. Информативность: 7.3. Источник: www.microwavejournal.com.