Просмотр новости
Найдите то, что Вас интересует
Спутники
РН
SpaceX
Роскосмос
NASA
Breitbandiger verteilter Verstärker für Rechenzentren, Messsysteme und Sensoren
Дата публикации: 23-09-2026 12:00:00
Forschende des Fraunhofer IAF haben einen extrem breitbandigen verteilten Verstärker-Chip auf Basis der hauseigenen InGaAs-auf-Si-HEMT-Technologie entwickelt. Er erreicht zwischen 4 und 420 GHz eine Verstärkung von 11 ± 2 dB und ist für den Einsatz in Rechenzentren, Messsystemen und Sensoren prädestiniert. Zusammen mit weiteren neuen Entwicklungen im Bereich der Hochfrequenzelektronik präsentiert das Fraunhofer IAF den Chip vom 4. bis 9. Oktober 2026 bei der European Microwave Week in London (Stand B35).
Основное содержимое страницы с новостью.
Fraunhofer IAF bei der European Microwave Week 2026
Pressemitteilung / 23. September 2026
Forschende des Fraunhofer IAF haben einen extrem breitbandigen verteilten Verstärker-Chip auf Basis der hauseigenen InGaAs-auf-Si-HEMT-Technologie entwickelt. Er erreicht zwischen 4 und 420 GHz eine Verstärkung von 11 ± 2 dB und ist für den Einsatz in Rechenzentren, Messsystemen und Sensoren prädestiniert. Zusammen mit weiteren neuen Entwicklungen im Bereich der Hochfrequenzelektronik präsentiert das Fraunhofer IAF den Chip vom 4. bis 9. Oktober 2026 bei der European Microwave Week in London (Stand B35).
Moderne Rechenzentren, hochgenaue Messsysteme und hochauflösende Radarsensoren sind auf extrem breitbandige Verstärker-Chips angewiesen, die sowohl geringes Eigenrauschen als auch hohe Ausgangsleistungen aufweisen. Forschende des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik IAF haben eine monolithisch integrierte Mikrowellen-Schaltung (monolithic microwave integrated circuit, MMIC) mit herausragenden Werten in den genannten Bereichen entwickelt.
Der verteilte Verstärker (distributed amplifier, DA) erreicht eine Verstärkung von 11 ± 2 dB im Frequenzbereich zwischen 4 und 420 GHz. Er basiert auf Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (high-electron-mobility transistors, HEMT), die im Materialsystem Indiumgalliumarsenid auf Silizium-Substraten (InGaAs-auf-Si) mit einer Gate-Länge von 20 nm realisiert wurden. Vorangegangene Generationen der Chips entstanden noch auf Galliumarsenid-(GaAs-)Substraten und mit einer Gate-Länge von 35 nm.
Erstmals vorgestellt wurde der MMIC in dem Artikel: F. Thome and A. Leuther, »A 4–420-GHz Distributed Amplifier MMIC in a 20-nm InGaAs-on-Si HEMT Technology With 11 ± 2 dB Gain«, in IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, vol. 35, no. 6, pp. 844–847, June 2025, doi: 10.1109/LMWT.2025.3551639.
© Fraunhofer IAFDer breitbandige verteilte Verstärker-Chip erreicht zwischen 4 und 420 GHz eine Verstärkung von 11 ± 2 dB. Das Bild zeigt die vorangegangene Generation des Verstärkers.
© Cybrain – stock.adobe.comDie neueste Generation von Rechenzentren, die optische Datenübertragung nutzt, ist auf möglichst breitbandige Verstärker mit geringem Rauschen und hoher Ausgangsleistung angewiesen.
Hohe Bandbreite bei hoher Ausgangsleistung und niedrigem Rauschen
»Der entwickelte Verstärker-MMIC zeichnet sich durch eine einmalige Kombination der relevanten Parameter Bandbreite, Rauschen und Ausgangsleistung aus. Bis zu einer Frequenz von 202 GHz erreicht er Rauschzahlen zwischen 3,2 und 7,7 dB, in einer auf niedriges Rauschen optimierten Einstellung liegen diese zwischen 2,8 und 6,7 dB. Die gesättigte Ausgangsleistung bewegt sich zwischen 6 und 8 dBm«, erläutert Dr. Fabian Thome, Entwickler des MMIC und Stellvertretender Geschäftsfeldleiter Hochfrequenzelektronik am Fraunhofer IAF.
Breitbandige MMICs in der Anwendung: Rechenzentren, Messsysteme, RadarsensorenInsbesondere für die neueste Generation von Rechenzentren, die optische Datenübertragung nutzen, sind derart breitbandige Verstärker relevant. Sie kommen in den Schnittstellen zum Einsatz, in denen optische in elektrische bzw. elektrische in optische Signale umgewandelt werden. Die optische Datenübertragung ermöglicht höhere Geschwindigkeiten und kompaktere Aufbauten. Die zunehmende Verbreitung von Anwendungen im Bereich der Künstlichen Intelligenz erhöht den Bedarf an modernen Rechenzentren massiv.
Daneben ermöglichen breitbandige Chips mit niedrigem Rauschen und hoher Ausgangsleistung signifikant präzisere Messsysteme und höher auflösende Radarsensoren. Durch performantere Chips steigen Auflösung, Reichweite und Empfindlichkeit der Systeme signifikant an.
Fraunhofer IAF auf der EuMW 2026
Bei der European Microwave Week (EuMW) präsentieren Forschende des Fraunhofer IAF vom 4. bis 9. Oktober 2026 in London Ausstellungsexemplare des Verstärker-Chips wie auch weitere Innovationen der Hochfrequenzelektronik am Stand B35. Eine Live-Messung des Chips demonstriert der kooperierende Messtechnik-Hersteller FormFactor, Inc. an seinem Stand (D10).
Neueste Erkenntnisse stellen Forschende des Fraunhofer IAF außerdem im Rahmen der EuMW-Konferenzen vor:
- 5.10.2026, 8:30–18:30, Raum 15, WM06 [Workshop]
Fabian Thome: InGaAs Metamorphic HEMT Technologies for Cutting-Edge Low-Noise, High-Frequencies, and Ultra-Wideband Applications - 5.10.2026, 9:10–9:30, Raum 10, EuMIC02-3
Maxime Moulin: Scalable Small-Signal Modeling of 20-nm InGaAs HEMTs Using a DC-Biased Backside Field Plate - 5.10.2026, 17:30–17:50, Raum 11, EuMIC12-3
Eric Sigle: Extended D-Band Frequency Quadrupler based on Harmonic Source- and Load-Pull Measurements - 6.10.2026, 9:50–10:10, Raum 17, EuMIC15-5
Rainer Weber: A 220 to 330 GHz Dual-IF Receiver-Chip in 35-nm mHEMT Technology - 6.10.2026, 11:50–12:10, Raum 17, EuMIC17-3
Patrick Umbach: Zero-IF Capable Single-Balanced HEMT Mixers with 2 ± 2 dB Conversion Loss from 110 to 220 GHz - 6.10.2026, 15:10–15:30, Raum 17, EuMIC18-4
Felix Heinz: Extended W-band Low-Noise Amplifiers in 35-nm Metamorphic High-Electron-Mobility Transistor Technology - 6.10.2026, 15:30–15:50, Raum 17, EuMIC18-5
Thomas Zieciak: A Compact D-Band GaN LNA MMIC for Monolithic Transceiver Integration - 7.10.2026, 18:10–18:30, Raum 7, EuMC35-5
Daje Weber-Trebesch: A Q-Band GaN Doherty-Like OLMBA with Single RF Input
Die Verwendung der Fotos ist ausschließlich im Zusammenhang mit dieser Pressemitteilung und unter Angabe des Copyrights gestattet.
Letzte Änderung: 23. September 2026
Weitere Informationen
© Fraunhofer IAF
Elektronik am Fraunhofer IAFErfahren Sie mehr über unsere Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten im Bereich der Hochfrequenz- und Leistungselektronik.
© Fraunhofer IAF
Fraunhofer IAF auf der EuMWBei der EuMW präsentiert das Fraunhofer IAF neueste Entwicklungen im Bereich der Hochfrequenzelektronik.
© Fraunhofer IAF
Zusammenarbeit mit dem Fraunhofer IAFInformieren Sie sich über die verschiedenen Möglichkeiten, mit uns zusammenzuarbeiten.
Схожие новости
Классификация: Наука. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 10. Тональность: 0. Информативность: 16.44. Источник: www.iaf.fraunhofer.de.