Суспензии на его основе используются для полировки микросхем  

Учёные научно-исследовательской лаборатории инженерной химии НИИ химии Университета Лобачевского запатентовали способ глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния (SiO2) для микроэлектроники, а также разработали подход к комплексному управлению свойствами этих наночастиц. Разработка позволяет получать частицы с заданным размером и формой, высокой однородностью, стабильностью и низким содержанием примесей – именно теми характеристиками, которые определяют возможность их использования в производстве микросхем.

«Наше изобретение относится к области очистки аморфного диоксида кремния, синтезированного методом Штобера, и предназначено для использования в химико-механической полировке (ХМП) полупроводниковых пластин, а также в процессах, требующих высокочистых абразивных наноматериалов», – объясняет руководитель исследования, кандидат химических наук, научный сотрудник научно-исследовательской лаборатории инженерной химии НИИ химии ННГУ Ксения Отвагина.

Работа ведётся в рамках проекта по разработке полировальных суспензий для микроэлектроники. Учёными ННГУ им. Н.И. Лобачевского разработаны технологическая линия и регламент получения продукта, благодаря чему создана устойчивая суспензия, которая направлена на апробацию индустриальному партнёру. Полирующие суспензии обеспечивают прецизионную обработку поверхности с точностью до субнанометров и играют ключевую роль в ХМП-процессах. В условиях ограничений поставок сформировалась критическая потребность в разработке отечественных аналогов, сопоставимых по характеристикам с зарубежными продуктами.

«От размера, формы и однородности наночастиц напрямую зависит качество обработки пластин, а значит – надёжность и производительность будущих электронных устройств. Именно поэтому разработка отечественных материалов с контролируемыми характеристиками является важным шагом для развития российской микроэлектроники и снижения зависимости от зарубежных поставщиков», – подчёркивает руководитель проекта.

«Создание отечественной компонентной базы для микроэлектроники – одна из ключевых задач, стоящих перед страной. Запатентованная технология – это яркий пример того, как университетская наука отвечает на вызовы времени и запросы индустрии. Наша цель – обеспечить полный цикл от фундаментальных исследований до серийного внедрения. Успешное масштабирование процесса и переход к испытаниям с индустриальным партнёром подтверждают, что мы движемся в правильном направлении», – отметил ректор ННГУ им. Н.И. Лобачевского Олег Трофимов.

Работа ведётся учёными Университета Лобачевского с 2024 года в рамках стратегического проекта «Новые материалы для микроэлектроники» федеральной программы «Приоритет-2030». Сегодня проект находится на этапе опытно-технологической отработки. Исследовательская часть, связанная с подбором состава и условий синтеза, уже в значительной степени завершена. Основное внимание сейчас уделяется подтверждению стабильности технологии при масштабировании и испытаниям материалов совместно с индустриальным партнёром.

Ранее сообщалось, что совещание Университетского кластера образования состоялось в ННГУ.