8 октября 2026, 00:35

0

Фото: ИЗВЕСТИЯ/Эдуард Корниенко

Исследователи Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН представили технологию создания чипов долговременной флеш-памяти для космических применений. В основе разработки — диэлектрические пленки с дефектами — «ловушками» электронов, которые выполняют функцию носителей информации.

В институте запатентовали использование пленок на основе оксидов алюминия и циркония. Они позволили увеличить время хранения данных и снизить энергопотребление при перезаписи.

«Также инновация кардинально увеличивает надежность устройств. В частности, они становятся устойчивы к радиации. Это преимущество важно при использовании устройств в космических спутниках, которые эксплуатируют в условиях интенсивного ионизирующего излучения», — рассказал главный научный сотрудник ИФП СО РАН Владимир Гриценко.

В будущем долговечные энергонезависимые и радиационно-стойкие чипы флеш-памяти будут востребованы в составе орбитальных суперкомпьютеров и дата-центров, а также в устройствах с ядерным источником энергии — например, в лунной атомной электростанции или межпланетных кораблях с ядерным двигателем. Однако для этого следует создать аналогичные по надежности процессоры, отметил ученый.

Подробнее читайте в эксклюзивном материале «Известий»:

Память на века: стойкие к радиации флешки помогут создать суперкомпьютеры в космосе